本公司是生产晶硅太阳能电池片的企业，现针对产品后端输出衰减问题提出以下技术需求：

需求一：

如何应对组件端对电池端后续更高的PID要求。

现如今客户端要求组件端的PID衰减小于3%或5%(衰减条件分别为双85,96小时和192小时)，目前我司使用的是热氧PERC工艺，电池片PID不稳定，尤其是黒硅PERC电池片的PID问题急需解决。

需求二：

如何应对组件端对电池端后续更高的LeTid要求。

现产线要求LID衰减5小时候，单片衰减小于2.5%，平均衰减小于1.5%。

目前问题点，为控制电池片LID衰减，目前主要技术点为针对烧结部分，效率损失0.05-0.1%，损失较大。如何在保证效率的同时降低电池的LID现象，也是急需解决的问题。